삼성 첨단 파운드리의 자존심 '3nm GAA' 상용칩 실체 첫 확인
테크인사이츠, 中 마이크로BT 최신 칩서 삼성 3nm 공정 분석 삼성전자 파운드리 3나노미터(nm) 공정이 처음 적용된 반도체가 최근 상용화에 도달한 것으로 확인됐다. 3nm는 현재 양산이 가능한 공정 중 가장 최선단에 속하는 영역으로, 삼성전자의 미래 파운드리 시장 경쟁력을 좌우할 핵심 지표로 꼽힌다. 18일(현지시간) 반도체 전문 조사기관 테크인사이츠는 삼성전자 3nm GAA(게이트-올-어라운드) 공정이 적용된 반도체의 내부를 분석한 자료를 발간했다. 앞서 삼성전자는 지난해 6월 말 세계 최초로 3nm GAA 공정을 양산한다고 밝힌 바 있다. GAA는 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개면을 모두 감싸는 기술이다. 기존 3개면을 감싸는 핀펫(FinFET) 구조 대비 데이터 처리 속..
테크뉴스
2023. 7. 19.