삼성, HBM에 '펨토초' 웨이퍼 절단 기술 도입

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 제조에 '펨토초' 기술을 도입한다. 1000조분의 1초라는 짧은 시간에 고출력 레이저를 쏴 반도체 웨이퍼를 자르는 기술을 통해 성능과 수율을 끌어올리기 위한 조치다. HBM 시장에서 기술 경쟁력을 끌어올리려는 삼성전자의 시도가 전방위로 이뤄지고 있다. 12일 업계에 따르면 삼성전자 DS부문은 최근 천안캠퍼스에 펨토초 레이저 기반 웨이퍼 절단 장비를 반입했다. 천안캠퍼스는 삼성전자가 HBM을 만드는 패키징 거점이다. HBM은 회로를 새긴 D램을 웨이퍼 상태로 쌓은 뒤 잘라서 만든다. 이 절단 공정에 펨토초 레이저 장비가 처음 도입됐다. 펨토초 레이저는 1000조분의 1초 단위로 레이저 펄스를 발생시키는 장치다. 기존 기계적 방식(다이아몬드 휠)이나 나노초(10억분의 1초)..

2025. 6. 13.

삼성전자, 차세대 D램에 '건식 PR' 첫 적용

평택4공장 램리서치 장비내년부터 6세대 양산 전망미세 패턴 구현·수율 향상HBM 성능 강화 발판으로 삼성전자가 6세대(1c) D램에 '건식 포토레지스트(PR)'를 적용한다. D램에 건식 PR를 도입하는 건 반도체 업계 처음이다. 수율 향상을 위한 시도로, 삼성전자가 차세대 D램에서 경쟁력을 확보할 지 주목된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 1c D램에 건식 PR를 도입하기로 결정하고, 장비 반입까지 마쳤다. 지난해부터 1c 양산라인을 구축 중인 평택 4공장(P4)에 미국 램리서치의 건식 PR 장비를 들인 것으로 파악됐다. 언더레이어·PR 증착장비, 현상장비 등 복수 설비가 도입됐다. 램리서치는 2020년 노광장비 업체 ASML, 반도체 연구소 아이멕(imec)과 협력해 건식 PR 기술을 개발해 왔고 ..

2025. 6. 11.

삼성·SK 기술력 넘어섰나 '발칵'…만년 3등의 '대반란'

3등 마이크론, 엔비디아에 '제2의 HBM' 단독 공급메모리 3사 시장 '지각변동''빅3' 중 마이크론만 양산 승인 비결은 발열 잡는 기술력저전력 D램 대세…소캠 수요도↑마이크론, 잇따라 대형 물량 따내올초 갤S25 D램 1차 공급자 선정저전력 기술로 HBM 공략 가속삼성·SK 점유율 빼앗을지 주목 엔비디아가 차세대 메모리 모듈인 소캠(SOCAMM) 첫 공급사로 마이크론을 선정한 것으로 알려졌다. 최신 저전력 D램(LPDDR5X)을 쌓아 제작하는 소캠은 ‘제2의 고대역폭메모리(HBM)’로 불릴 정도로 주목받는 제품이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 개발을 완료했지만 아직 엔비디아 납품은 성사되지 않은 것으로 전해졌다. 메모리업계 ‘만년 3위’인 마이크론이 상대적으로 뛰어난 저전력 D램 기술을 앞세워 엔비디아..

2025. 6. 11.

“D램 패권 뒤집힌 1분기” SK하이닉스 1위, 삼성 2위 추락

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도에 힘입어 올해 1분기 글로벌 D램 시장에서 삼성전자를 제치고 사상 처음으로 1위를 차지했다. 3일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 2025년 1분기 전 세계 D램 매출은 총 270억1000만 달러(약 37조 원)로 전 분기 대비 5.5% 감소했다. 이는 D램 계약 가격 하락과 HBM 출하량 감소가 복합적으로 작용한 결과로 분석된다. SK하이닉스는 매출이 전 분기 대비 7.1% 줄어든 97억2000만 달러를 기록했지만 삼성전자의 매출 감소폭(19.1%)보다 작아 1위 자리를 차지했다.트렌드포스는 특히 고부가가치 제품인 HBM3E의 출하 비중이 늘어난 점이 SK하이닉스의 선전에 영향을 미쳤다고 밝혔다. 점유율 기준으로 SK하이닉스는 지난해 4분기 36.6%에서..

2025. 6. 4.

TSMC 손 잡은 SK하이닉스, HBM4 로직 다이 비용 압박↑

HBM4 가격 30% 더 오르지만 전체 단가서 로직 다이 비중 20%대 육박할 듯 SK하이닉스가 올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산에 본격 나선다. HBM4는 이전 세대 대비 데이터 처리 속도를 크게 끌여올렸으며, 내부 제어를 담당하는 '로직 다이(베이스 다이)의 기능을 대폭 강화한 것이 특징이다. 이에 따라 제품 가격도 이전 대비 30% 이상 상승할 것으로 예상된다. 다만 SK하이닉스가 HBM4의 가격 인상분 만큼 수익성 증대 효과를 거두기는 어려울 것으로 보인다. 로직 다이의 양산을 대만 주요 파운드리 TSMC에 위탁하기 때문이다. 업계에서는 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중이 20%대에 이를 것으로 추산하고 있다. 30일 업계에 따르면 SK하이닉스가 TSMC에 의뢰한 ..

2025. 5. 30.

삼성전자, 화성 H1 사업장 '패키징' 라인으로 전환 추진

투자비용 효율화·첨단 D램 수요 대비 전략인 듯 삼성전자가 화성 사업장 내 구형 메모리 라인을 정리하고, 패키징 라인으로 전환한다. 이를 위한 설비 이관을 이르면 올 하반기부터 진행할 계획인 것으로 파악됐다. 28일 업계에 따르면 삼성전자는 화성 H1 사업장 내 구형 메모리 제조라인을 패키징 주력 라인으로 변경하는 방안을 추진 중이다.H1은 삼성전자의 12라인, 13라인 등이 위치한 곳이다. 12라인은 낸드를, 13라인은 D램을 생산해 왔다. 두 제품 모두 국내 메모리 시장에서 출하량이 줄어들고 있는 구형 제품을 담당하고 있다. 13라인의 경우 CIS(이미지센서)로의 전환을 준비하기도 했으나, CIS 업황 부진으로 계획이 지속 지연된 바 있다. 삼성전자는 활용도가 저조해진 H1 사업장을 패키징 라인으로 ..

2025. 5. 29.

삼성전자, 평택 이어 화성서도 '1c D램' 투자 준비…HBM4 양산 채비

하반기 P4에 최소 월 4만장 CAPA 확대…화성 17라인도 투자 계획삼성전자가 평택에 이어 화성 팹에도 1c D램(6세대 10나노급 D램)의 양산 라인 구축 계획을 세운 것으로 파악됐다. 이르면 올 연말께 투자가 진행될 예정으로, 수율 향상에 대한 내부 자신감이 반영된 행보로 풀이된다.1c D램은 삼성전자 'HBM4(6세대 고대역폭메모리)'에 적용될 핵심 제품이기도 하다. 그간 삼성전자가 최신형 HBM 상용화에서 난항을 겪어 온 만큼 적극적인 양산 의지를 보이고 있다는 평가가 나온다.22일 업계에 따르면 삼성전자는 올 하반기 화성·평택 지역에서 1c D램 생산능력을 추가하기 위한 투자에 나설 계획이다.앞서 삼성전자는 올해 초부터 평택 제4캠퍼스(P4)에 1c D램 양산 라인을 처음으로 구축하기 시작했다..

2025. 5. 23.

삼성, D램 가격 전격 인상

삼성전자가 D램 가격을 전격 인상했다. 메모리 수요 증가에 따른 것으로, 지난 1년여 동안 하락세를 보인 D램 가격이 올라 주목된다.11일 업계에 따르면 삼성전자는 이달 초 주요 고객사와 D램 공급 가격 인상안을 확정한 것으로 파악됐다. 고객사마다 구체 내용은 상이하지만 평균 인상률은 DDR4 D램이 두 자릿수대, DDR5 D램은 한 자릿수대로 결정됐다. DDR4는 20%, DDR5는 5% 안팎으로 알려졌다.사안에 정통한 업체 관계자는 “삼성전자가 인상된 가격으로 고객사와 D램 공급 계약을 체결했다”며 “반도체 업계 전반서 D램 가격이 인상되고 있다”고 말했다.삼성전자가 D램 가격을 올린 건 올해 들어 처음이고, 최근 1년 동안 없었던 사례다.D램은 지난해 수요 감소와 공급 과잉 영향을 받았다. 시장조사..

2025. 5. 12.

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삼성, HBM에 '펨토초' 웨이퍼 절단 기술 도입

삼성전자, 차세대 D램에 '건식 PR' 첫 적용

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