전영현, 엔비디아와 HBM3E 12단 공급 논의… 삼성 '반격' 본격화

전영현 삼성전자 DS부문장, 지난주 방미내년 블랙웰 울트라향 HBM3E 12단 협의 전영현 삼성전자(005930) DS부문장(부회장)이 엔비디아 본사를 찾아 GB300 ‘블랙웰 울트라’ 향 고대역폭메모리(HBM)3E 12단 공급을 타진했다. 최근 AMD 납품에 성공한 자신감을 바탕으로 엔비디아의 문을 두드리는 것이다. 그간 엔비디아 공급 차질로 자존심을 구겨왔던 삼성전자가 절치부심 끝에 본격적인 반격에 나서고 있다. 30일(현지 시간) 테크계에 따르면 전 부회장은 지난주 미 실리콘밸리를 찾아 엔비디아와 HBM3E 12단 공급 관련 협상을 가졌다. 5월 초에 이어 채 두달이 되지 않아 실리콘밸리를 다시 찾은 것이다. 이 자리에 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 참석했는지는 확인되지 않았으나 HBM3E..

2025. 7. 1.

SK하이닉스, 분기 영업이익 10조 시대 여나… “HBM3E 비중 80%까지 늘린다”

증권가, 2분기 영업익 9조 육박 전망… 하반기 실적 기대감HBM3E 12단 비중 높아질수록 영업이익↑“D램 3강, HBM 비중에 실적 희비 엇갈려” SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 날개를 달고 올 2분기 9조원에 육박하는 영업이익을 기록할 것으로 전망된다. 올 하반기에는 영업이익률이 높은 5세대 HBM(HBM3E) 12단 공급 비중이 늘면서 분기 영업이익 10조원 시대를 열 것이라는 관측도 나온다. HBM 매출이 전체 D램 사업에서 차지하는 비중도 사상 최대치를 기록할 것으로 보인다. 26일 업계에 따르면 SK하이닉스의 올 2분기 HBM3E 12단 비중은 전체 HBM 출하량의 절반 이상을, 올 하반기에는 80% 이상까지 늘어날 것으로 관측된다. 이로 인해 SK하이닉스의 영업이익과 이익률이 상향 조..

2025. 6. 26.

SK하이닉스, 청주에 국내 7번째 후공정 팹 건설

SK하이닉스가 충북 청주에 국내 7번째 반도체 후공정 공장(팹)을 건설한다. 24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 최근 사내 게시판에 청주 LG 2공장 부지에 위치한 건물을 철거하고, '패키지&테스트(P&T) 7' 시설을 지을 계획이라고 공지했다. 반도체 후공정은 제작이 끝난 칩을 최종 제품으로 패키징하고 검사하는 작업이다. 반도체 제작 뒷단의 공정이란 뜻에서 이같이 부른다. SK하이닉스는 경기 이천과 청주 등 총 6곳에 후공정 공장을 운영하고 있는데, 이를 늘리는 것이다. 회사는 미국 인디애나주에도 첨단 반도체 패키징 공장을 구축할 예정이다. SK하이닉스는 신설 공장의 구체적인 착공 시점이나 투자금, 용도 등은 확정되지 않았다고 밝혔다. 테스트용으로 활용하면서 세부 사항을 결정할 방침이라고 설명했다. S..

2025. 6. 25.

D램도 ‘3D’ 시대 열린다… 삼성전자·SK하이닉스, 수직 구조 D램 시제품 개발 박차

D램 미세화 한계 봉착… ‘수직 구조’ 개발 속도3D D램 기반 기술 4F² D램 개발이르면 연내 초기 샘플 개발해 검증 삼성전자와 SK하이닉스가 3차원(D) D램 연구개발(R&D)에 속도를 높이고 있는 가운데, 이르면 연내 D램 구조를 수평에서 수직으로 바꾼 ‘4F² D램’ 초기 시제품을 개발해 검증 작업에 돌입할 계획인 것으로 전해졌다. 4F² D램은 미세화 한계에 직면한 평면 D램의 구조를 수직화해 성능과 데이터 이동 속도, 전력 효율 등을 높인 제품이다. 삼성전자와 SK하이닉스는 4F² D램을 기반으로 D램 구조에 변화를 가한 뒤, 이를 바탕으로 3D D램을 개발할 방침인 것으로 전해졌다. D램은 디지털 정보 하나가 들어갈 수 있는 기본 단위인 셀 단위로 데이터를 저장하는데, 이 셀 하나가 차지하..

2025. 6. 18.

SK하이닉스, 두달 새 50% 역대 최고가...한투.신한증권 목표가 32만원

16일 5% 넘게 올라 역대 최고가한투·신한증권, 목표가 32만원 SK하이닉스(000660)가 16일 증시에서 5% 넘게 오르며 역대 최고가를 다시 쓴 가운데 증권가에선 ‘30만닉스’ 고지를 바라보고 있다. 17일 한국거래소에 따르면 전날 SK하이닉스는 전 거래일보다 5.31% 오른 24만8000원으로 역대 최고가에 거래를 마쳤다. 종가 기준 기존 역대 최고가는 지난해 7월 11일 기록한 24만1000원이었다. 이날 SK하이닉스는 장중 24만8500원을 터치하는 등 지난해 7월 11일 기록한 장중 사상 최고가와 동률을 기록하기도 했다. SK하이닉스는 최근 반도체 업황 반등에 대한 기대감과 메모리 판가 상승세 확인으로 무서운 상승세를 기록하고 있다. 특히 올 4월7일 16만4800원에서 약 두달 사이 주가..

2025. 6. 17.

SK하이닉스, 최선단 D램·HBM 설비투자 '신중 모드'

M15X 장비 조기 반입 지연…투자 계획 설립 막판까지 조율 SK하이닉스가 최선단 D램과 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대를 위한 투자에 신중한 태도를 보이고 있다. 당초 신규 공장에 설비를 조기 반입하기로 한 계획을 늦추고, 올해 전체적인 설비투자 규모를 확정하는 시기도 미뤄지고 있는 것으로 파악됐다. SK하이닉스가 대내외적인 불확실성이 높아진 상황에서 섣부른 투자 집행을 경계하려는 것으로 보인다. 16일 업계에 따르면 SK하이닉스는 청주 M15X를 비롯한 올해 설비투자 계획을 당초 예상 대비 지연이 예상된다.M15X는 SK하이닉스의 최선단 D램 및 HBM 양산을 담당할 신규 생산기지다. 총 투자 규모는 20조원으로, 지난해 2분기부터 공사에 들어가 올해 4분기 준공을 목표로 하고 있다. AI 산업..

2025. 6. 17.

삼성, HBM에 '펨토초' 웨이퍼 절단 기술 도입

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 제조에 '펨토초' 기술을 도입한다. 1000조분의 1초라는 짧은 시간에 고출력 레이저를 쏴 반도체 웨이퍼를 자르는 기술을 통해 성능과 수율을 끌어올리기 위한 조치다. HBM 시장에서 기술 경쟁력을 끌어올리려는 삼성전자의 시도가 전방위로 이뤄지고 있다. 12일 업계에 따르면 삼성전자 DS부문은 최근 천안캠퍼스에 펨토초 레이저 기반 웨이퍼 절단 장비를 반입했다. 천안캠퍼스는 삼성전자가 HBM을 만드는 패키징 거점이다. HBM은 회로를 새긴 D램을 웨이퍼 상태로 쌓은 뒤 잘라서 만든다. 이 절단 공정에 펨토초 레이저 장비가 처음 도입됐다. 펨토초 레이저는 1000조분의 1초 단위로 레이저 펄스를 발생시키는 장치다. 기존 기계적 방식(다이아몬드 휠)이나 나노초(10억분의 1초)..

2025. 6. 13.

삼성전자, 차세대 D램에 '건식 PR' 첫 적용

평택4공장 램리서치 장비내년부터 6세대 양산 전망미세 패턴 구현·수율 향상HBM 성능 강화 발판으로 삼성전자가 6세대(1c) D램에 '건식 포토레지스트(PR)'를 적용한다. D램에 건식 PR를 도입하는 건 반도체 업계 처음이다. 수율 향상을 위한 시도로, 삼성전자가 차세대 D램에서 경쟁력을 확보할 지 주목된다. 10일 업계에 따르면 삼성전자는 1c D램에 건식 PR를 도입하기로 결정하고, 장비 반입까지 마쳤다. 지난해부터 1c 양산라인을 구축 중인 평택 4공장(P4)에 미국 램리서치의 건식 PR 장비를 들인 것으로 파악됐다. 언더레이어·PR 증착장비, 현상장비 등 복수 설비가 도입됐다. 램리서치는 2020년 노광장비 업체 ASML, 반도체 연구소 아이멕(imec)과 협력해 건식 PR 기술을 개발해 왔고 ..

2025. 6. 11.

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