SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 개발…내년 초 양산

SK하이닉스가 세계 최초로 10나노미터(㎚·10억분의 1m)대 초반의 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램을 개발했다. 성능이 입증된 5세대(1b) D램 플랫폼을 확장하는 방식으로 기술 한계를 가장 먼저 돌파했다. SK하이닉스는 연내 1c DDR5 D램 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 양산 공급할 계획이라고 29일 밝혔다.회사는 1b D램의 공정을 고도화하는 방식으로 1c D램을 개발했다. D램은 수백개 공정을 거쳐 만들어지는데 공정 변화를 최소화한 것이다. 이는 1b D램의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮기고, 큰 공정 변화에 따라 발생할 수 있는 시행착오를 줄여 개발의 속도를 내기 위한 결정이다. 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발·적용하고, 전체 공정 중 ..

2024. 8. 30.

SK하이닉스, 10월 HBM4 '테이프아웃'…엔비디아 공략 고삐

설계 완료하고 제조 공정에 도면 넘겨…상용화 위한 주요 과정 SK하이닉스의 HBM4(6세대 HBM) 상용화 계획이 가시권에 접어들었다. 핵심 고객사인 엔비디아향 HBM4 설계가 마무리 단계에 접어들어, 4분기 초에 설계 도면을 제조 공정에 넘기는 '테이프아웃'을 진행할 것으로 파악됐다. 26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 10월 엔비디아향 HBM4에 대한 '테이프아웃'을 완료할 계획이다.HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 차세대 메모리다. 현재 5세대 제품인 HBM3E까지 상용화된 상태로, 다음 세대인 HBM4는 내년 하반기부터 양산이 시작될 것으로 전망된다. HBM4는 데이터 전송 통로인 I/O(입출력 단자) 수를 이전 세대 대비 2배 많은 2048개 집적한 것이 특징이다. D램 적층 수는..

2024. 8. 27.

SK하이닉스, 美 인디애나 공장, 최대 9.5억 달러 보조금 혜택

미국 정부가 SK하이닉스에 최대 9억5000만 달러(1조3000억원)의 지원을 하기로 결정했다. 미국 상무부는 SK하이닉스의 미국 인디애나주 고대역폭 메모리(HBM) 고급 패키징 제조 및 연구개발(R&D) 시설 설립을 위해 최대 4억5000만 달러의 직접 보조금과 5억 달러(약 6900억원)의 대출을 지원하는 내용의 예비거래각서(PMT)를 체결했다고 6일(현지 시간) 밝혔다. 이와 함께 미국 재무부는 SK하이닉스가 미국에서 투자하는 금액의 최대 25%까지 세제혜택을 제공해 주기로 했다.SK하이닉스는 인디애나주 웨스트라피엣에 약 38억7000만 달러를 투자해 인공지능(AI) 제품을 위한 메모리 패키징 공장과 고급 패키징 R&D 시설을 건립할 계획이다. 원문기사

2024. 8. 6.

SK하이닉스 이사회, 용인 반도체 투자 승인…"9조4000억 투입"

SK하이닉스가 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 팹(생산시설)과 업무시설을 건설하는 데에 9조4000억원을 투자하기로 결정했다고 26일 밝혔다. SK하이닉스는 기존 일정대로 용인 클러스터에 들어서는 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공한다. 용인 클러스터는 용인시 원삼면 일대의 415만㎡ 규모 부지에 조성되며, 현재 정지 작업(땅을 평평하게 만드는 것)과 인프라 구축이 진행 중이다. 이사회가 승인한 투자액에는 1기 팹 외에도 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 공사기간 등을 고려해 오는 8월부터 2028년 말까지다.SK하이닉스는 첫 팹 건설 이후 3개 팹을 순차 완공..

2024. 7. 27.

SK하이닉스, 시총 200조 간다

증권사들 연이어 목표가 상향 “목표주가를 기존 24만원에서 28만원으로 상향한다.” 하나증권은 11일 SK하이닉스에 대해 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력을 고려하면 주가 상승 여력이 충분하다며 이같은 목표가를 제시했다. 목표가를 달성할 경우 SK하이닉스의 시가총액은 현재 약 174조원에서 204조원 가량으로 늘어나게 된다.김록호 하나증권 애널리스트는 “연초 이후 주가 상승률이 높은 편이지만 HBM으로 인해 업황 흐름이 기존보다 좋고, SK하이닉스기 이런 흐름을 선도하고 있다”며 목표가 상향 이유를 설명했다. 실적도 크게 오를 것SK하이닉스에 대한 전망도 내놨다. 그는 “하반기에도 타이트한 수급 상황이 지속되는 가운데 HBM 3E 8단 물량 본격화, 12단 공급 개시로 디램(DRAM) 가격이 상향될 가능성이..

2024. 7. 12.

SK하이닉스, LG·현대차 전체 시총 뛰어넘어

상반기 시가총액 상승률 1위 SK그룹 올해 상반기에 대기업 집단 중 상장사 시가총액이 가장 많이 늘어난 곳은 SK그룹으로 나타났다. SK그룹 21개 상장사 시총이 6개월 새 65조4922억원(36%) 증가했다. 엔비디아 신형 A I반도체의 고대역폭메모리(HBM) 공급을 사실상 독점하고 있는 SK하이닉스가 그룹의 시총 성장을 이끌었다. 이 기간 SK하이닉스 시총은 103조6675억원에서 171조8086억원으로 68조1410억원(65.7%) 늘었다. 그러면서 단일 종목 시총이 LG그룹(163조여원)이나 현대차그룹(160조여원)의 전체 시총도 뛰어넘었다.9일 기업분석연구소 리더스인덱스가 상장사를 보유한 80개 대기업 집단 소속 366개 상장사의 시총을 분석한 결과, 이들 기업의 시총은 이달 5일 종가 기준 ..

2024. 7. 10.

삼성·SK, HBM용 웨이퍼 공정 기술 바꾼다...'레이저 탈착' 도입 추진

삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 웨이퍼 공정 기술 전환에 나섰다. 웨이퍼 휨을 방지하기 위한 신기술 도입이 골자로, 차세대 HBM을 겨냥한 것으로 풀이된다. 공정 전환에 따른 소재 및 장비 공급망 변화도 예상된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 최근 HBM용 웨이퍼 탈착(디본딩) 공정을 레이저 방식으로 바꾸기 위해 협력사와 기술 개발을 진행하는 것으로 확인됐다. 웨이퍼 디본딩은 공정 중 얇아진 웨이퍼를 휘지 않게 부착한 임시 웨이퍼(글래스 소재 캐리어 웨이퍼)를 분리하는 작업이다. 웨이퍼 디본딩은 블레이드(칼날)라 불리는 부품을 통해 진행됐다. 반도체가 만들어지는 메인 웨이퍼와 캐리어 웨이퍼를 접착제로 붙였다 칼날로 떼어낸다고 해서 메카니컬 디본딩이라고 불린다. HBM 경우 12단·16단처럼 ..

2024. 7. 9.

'HBM 삼각동맹' 강화…최태원 회장, 엔비디아 이어 TSMC 수장 만나

최태원 SK 그룹 회장이 AI(인공지능) 반도체 선두 자리를 공고히 하기 위한 광폭 행보를 이어가고 있다. 4월 젠슨 황 엔비디아 CEO(최고경영자)를 만난데 이어 이달 웨이저자 TSMC 회장과 만나 HBM(고대역폭메모리) 사업 협력을 논의했다. SK하이닉스-TSMC-엔비디아로 이어지는 '3자 협력'을 한층 강화해 차세대 HBM 시장에서도 1위 자리를 지키겠다는 포석으로 풀이된다. 최 회장은 6일(현지시간) 곽노정 SK하이닉스 사장과 함께 대만 타이베이 소재 TSMC 본사를 방문해 웨이저자 회장과 TSMC 임원들을 만났다. 최 회장은 이 자리에서 "인류에 도움되는 AI 시대 초석을 함께 열어가자"며 양사 HBM 분야 협력 강화를 당부했다. SK하이닉스와 TSMC는 지난 4월 협약을 맺고 내년 완료를 목표..

2024. 6. 7.

검색결과 120개 탐색

SK하이닉스, 세계 최초 10나노급 6세대 D램 개발…내년 초 양산

SK하이닉스, 10월 HBM4 '테이프아웃'…엔비디아 공략 고삐

SK하이닉스, 美 인디애나 공장, 최대 9.5억 달러 보조금 혜택

SK하이닉스 이사회, 용인 반도체 투자 승인…"9조4000억 투입"

SK하이닉스, 시총 200조 간다

SK하이닉스, LG·현대차 전체 시총 뛰어넘어

삼성·SK, HBM용 웨이퍼 공정 기술 바꾼다...'레이저 탈착' 도입 추진

'HBM 삼각동맹' 강화…최태원 회장, 엔비디아 이어 TSMC 수장 만나

티스토리툴바