삼성전자, 10나노급 6세대 D램 수율 안정화… HBM4 양산 ‘탄력’
삼성전자, 1c D램 공정 수율 50% 상회하반기 양산 속도… HBM4 경쟁력 제고 사활 삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 시장에서 고전하고 있는 가운데, HBM4(6세대 HBM) 12단에 적층되는 차세대 D램인 10㎚(나노미터, 10억분의 1m)급 6세대(1c, 11~12㎚ 수준) D램 공정 수율이 빠르게 안정화되고 있는 것으로 파악됐다. SK하이닉스와 마이크론 등 경쟁사들이 HBM 시장 큰손인 엔비디아에 HBM4 12단 제품의 샘플을 선제적으로 공급한 만큼 삼성전자도 HBM4 샘플 공급 및 양산에 속도를 높일 전망이다. 10㎚급 첨단 D램은 세대를 거듭할수록 미세 공정이 적용돼 D램의 회로 선폭이 좁아진다. 이를 바탕으로 칩의 크기를 줄이고 집적도를 높여 성능과 전력 효율을 향상시킨다. 현재 삼성전자..
경제/주식
2025. 7. 18.